SCT20N120
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

SCT20N120

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

STMicroelectronics

ເລະທີ່ສ່ວນ:

SCT20N120-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

SICFET N-CH 1200V 20A HIP247
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 1200 V 20A (Tc) 175W (Tc) Through Hole HiP247™

ສິນຄ້າ:

580 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12878528
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

SCT20N120 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
STMicroelectronics
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
290mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+25V, -10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
650 pF @ 400 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
175W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 200°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
HiP247™
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-247-3
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SCT20

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
SCT20N120 Fine Tune SIC MOSFET Gate Driver

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
30
ຊື່ ອື່ນໆ
497-15170

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
stmicroelectronics

STB5NK50ZT4

MOSFET N-CH 500V 4.4A D2PAK

stmicroelectronics

STI17NF25

MOSFET N-CH 250V 17A I2PAK

stmicroelectronics

STB50NE10T4

MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK

stmicroelectronics

STD40NF03LT4

MOSFET N-CH 30V 40A DPAK