ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SCT10N120
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
STMicroelectronics
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SCT10N120-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
SICFET N-CH 1200V 12A HIP247
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 1200 V 12A (Tc) 150W (Tc) Through Hole HiP247™
ສິນຄ້າ:
12878188
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SCT10N120 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
STMicroelectronics
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
690mOhm @ 6A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+25V, -10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
290 pF @ 400 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
150W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 200°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
HiP247™
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-247-3
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SCT10
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
100
ຊື່ ອື່ນໆ
497-16597-5
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
MSC360SMA120B
ຜູ້ຜະລິດ
Microchip Technology
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
138
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
MSC360SMA120B-DG
ລາຄາຕໍານອນ
4.74
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
G3R350MT12D
ຜູ້ຜະລິດ
GeneSiC Semiconductor
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
5904
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
G3R350MT12D-DG
ລາຄາຕໍານອນ
2.97
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
STL24N60M2
MOSFET N-CH 600V 18A PWRFLAT HV
STB7ANM60N
MOSFET N-CH 600V 5A D2PAK
STW15NM60N
MOSFET N-CH 600V 14A TO247-3
