ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
2N2907AUB1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
STMicroelectronics
ເລະທີ່ສ່ວນ:
2N2907AUB1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
RAD-HARD 60 V, 0.6 A PNP TRANSIS
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 500 mA 1.8 W Surface Mount UB
ສິນຄ້າ:
13265504
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
2N2907AUB1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
Bipolar (BJT), ບິປອລາ ຕຣານຊິສໍເກອນ ດຽວ
ຜູ້ຜະລິດ
STMicroelectronics
ບັນທຶກ
Tray
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ Transistor
PNP
ກະແສ - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.6V @ 50mA, 500mA
ກະແສ - Collector Cutoff (Max)
50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
ພະລັງ - Max
1.8 W
Frequency - ການປ່ຽນແປງ
-
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-65°C ~ 200°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
3-SMD, No Lead
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
UB
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1
ຊື່ ອື່ນໆ
497-2N2907AUB1
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
2N2222AUB1
RAD-HARD 50 V, 0.8 A NPN TRANSIS
NSV40301MZ4T3G
NPN 40V LOW SAT SOT223 BP
BSR30-QF
BSR30-Q/SOT89/MPT3