ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
S2M0080120D
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
SMC Diode Solutions
ເລະທີ່ສ່ວນ:
S2M0080120D-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 1200 V 41A (Tc) 231W (Tc) Through Hole TO-247AD
ສິນຄ້າ:
230 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12990362
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
S2M0080120D ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
SMC Diode Solutions
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
41A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 10mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
54 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+25V, -10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1324 pF @ 1000 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
231W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-247AD
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-247-3
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
25
ຊື່ ອື່ນໆ
-1765-S2M0080120D
1655-S2M0080120D
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
TK3A90E,S4X
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
ICE15N60W
Superjunction MOSFET
ICE20N60B
Superjunction MOSFET
