ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
2SK536-TB-E
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Sanyo
ເລະທີ່ສ່ວນ:
2SK536-TB-E-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
N-CHANNEL ENHANCEMENT MOS SILICO
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 50 V 100mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount 3-CP
ສິນຄ້າ:
3000 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12946019
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
2SK536-TB-E ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
ບັນທຶກ
Bulk
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
50 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
100mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20Ohm @ 10mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Vgs (Max)
±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
15 pF @ 10 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
200mW (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
125°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
3-CP
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1,411
ຊື່ ອື່ນໆ
2156-2SK536-TB-E
ONSSNY2SK536-TB-E
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
FCP130N60
MOSFET N-CH 600V 28A TO220-3
BUK7628-100A,118
MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK
FCP13N60N
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1