ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
2SC3599E
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Sanyo
ເລະທີ່ສ່ວນ:
2SC3599E-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 120 V 300 mA 500MHz 1.2 W Through Hole TO-126
ສິນຄ້າ:
4405 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12941634
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
2SC3599E ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
Bipolar (BJT), ບິປອລາ ຕຣານຊິສໍເກອນ ດຽວ
ຜູ້ຜະລິດ
ບັນທຶກ
Bulk
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ Transistor
NPN
ກະແສ - Collector (Ic) (Max)
300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
120 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 7mA, 70mA
ກະແສ - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 50mA, 10V
ພະລັງ - Max
1.2 W
Frequency - ການປ່ຽນແປງ
500MHz
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
150°C (TJ)
ເກຣດ
-
ຄຸນສົມບັດ
-
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-225AA, TO-126-3
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-126
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
460
ຊື່ ອື່ນໆ
ONSSNY2SC3599E
2156-2SC3599E
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
Not applicable
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
2SC3595D
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
2SC4455Q-AA
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
2SC2463DETL-E
0.1A, 40V
