SCT2H12NZGC11

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

SCT2H12NZGC11

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Rohm Semiconductor

ເລະທີ່ສ່ວນ:

SCT2H12NZGC11-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

SICFET N-CH 1700V 3.7A TO3PFM

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

N-Channel 1700 V 3.7A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-3PFM

ສິນຄ້າ:

2461 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່

13526754

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

SCT2H12NZGC11 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

ROHM Semiconductor

ບັນທຶກ

Tube

ຊຸດ

-

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Active

ປະເພດ FET

N-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

SiCFET (Silicon Carbide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1700 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

3.7A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

18V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 1.1A, 18V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 900µA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14 nC @ 18 V

Vgs (Max)

+22V, -6V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

184 pF @ 800 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

35W (Tc)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

175°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Through Hole

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

TO-3PFM

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

TO-3PFM, SC-93-3

ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ

SCT2H12

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ເອກະສານຄວາມໄວ້ວາງໃຈ

MOS-2GTHD Reliability Test

ແຫລ່ງ ຊ່ວຍ ເຫລືອ ການ ອອກ ແບບ

TO-3PFM Inner Structure

ໃບຂໍ້ມູນ

SCT2H12NZGC11 TO-3PFM Taping Spec

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

30

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS

ROHS3 Compliant

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

1 (Unlimited)

ສະຖານະພາບ REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

rohm-semi

RD3P175SNTL1

MOSFET N-CH 100V 17.5A TO252

rohm-semi

R6046ANZC8

MOSFET N-CH 600V 46A TO3PF

rohm-semi

QS5U16TR

MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5

rohm-semi

R5205CNDTL

MOSFET N-CH 525V 5A CPT3