ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SCT2160KEGC11
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Rohm Semiconductor
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SCT2160KEGC11-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
1200V, 22A, THD, SILICON-CARBIDE
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 1200 V 22A (Tc) 165W (Tc) Through Hole TO-247N
ສິນຄ້າ:
12967387
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SCT2160KEGC11 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
ROHM Semiconductor
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
22A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
208mOhm @ 7A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 2.5mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
62 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+22V, -6V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1200 pF @ 800 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
165W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-247N
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-247-3
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SCT2160
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
450
ຊື່ ອື່ນໆ
846-SCT2160KEGC11
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
SCT2160KEHRC11
ຜູ້ຜະລິດ
Rohm Semiconductor
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
424
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
SCT2160KEHRC11-DG
ລາຄາຕໍານອນ
12.61
ປ່ແທນປະເພດ
Parametric Equivalent
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
R6530ENZ4C13
650V 30A TO-247, LOW-NOISE POWER
R6504KND3TL1
HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 4
NTD4N60T4
TRANS MOSFET N-CH 600V 4A 3-PIN(
