ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
RW1E015RPT2R
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Rohm Semiconductor
ເລະທີ່ສ່ວນ:
RW1E015RPT2R-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET P-CH 30V 1.5A WEMT6
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
P-Channel 30 V 1.5A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT
ສິນຄ້າ:
303 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
13080619
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
RW1E015RPT2R ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
ROHM Semiconductor
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
-
ແພັກເກດ
Tape & Reel (TR)
ສະຖານະພາບຂອງພາກສ່ວນ
Obsolete
ປະເພດ FET
P-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
1.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
160mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
3.2 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
230 pF @ 10 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
400mW (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
6-WEMT
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
6-SMD, Flat Leads
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
RW1E015
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
8,000
ຊື່ ອື່ນໆ
RW1E015RPT2RCT
846-RW1E015RPT2RCT
846-RW1E015RPT2RTR
RW1E015RPT2RTR
846-RW1E015RPT2RDKR
RW1E015RPT2RDKR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
RV4E031RPHZGTCR1
ຜູ້ຜະລິດ
Rohm Semiconductor
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
5852
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
RV4E031RPHZGTCR1-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.24
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
SSM6J207FE,LF
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Semiconductor and Storage
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
3995
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
SSM6J207FE,LF-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.08
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
RW1E014SNT2R
MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6
RCJ100N25TL
MOSFET N-CH 250V 10A LPT
IRFS614B
N-CHANNEL POWER MOSFET
