ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
RW1C025ZPT2CR
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Rohm Semiconductor
ເລະທີ່ສ່ວນ:
RW1C025ZPT2CR-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET P-CH 20V 2.5A 6WEMT
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
P-Channel 20 V 2.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT
ສິນຄ້າ:
13526432
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
RW1C025ZPT2CR ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
ROHM Semiconductor
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
P-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1300 pF @ 10 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
700mW (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
6-WEMT
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
6-SMD, Flat Leads
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
RW1C025
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຄູ່ມືການນັບເລກສ່ວນຕ່າງໆ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
8,000
ຊື່ ອື່ນໆ
RW1C025ZPT2CRCT
RW1C025ZPT2CR-ND
RW1C025ZPT2CRDKR
RW1C025ZPT2CRTR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
RV5A040APTCR1
ຜູ້ຜະລິດ
Rohm Semiconductor
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
0
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
RV5A040APTCR1-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.27
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
SSM6J213FE(TE85L,F
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Semiconductor and Storage
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
0
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
SSM6J213FE(TE85L,F-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.07
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
RSJ250P10FRATL
MOSFET P-CH 100V 25A LPTS
RQ6E035TNTR
MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6
RD3U060CNTL1
MOSFET N-CH 250V 6A TO252
