ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
RT1C060UNTR
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Rohm Semiconductor
ເລະທີ່ສ່ວນ:
RT1C060UNTR-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 20V 6A 8TSST
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 20 V 6A (Ta) 650mW (Ta) Surface Mount 8-TSST
ສິນຄ້າ:
13525411
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
RT1C060UNTR ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
ROHM Semiconductor
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Not For New Designs
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
6A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
28mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
870 pF @ 10 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
650mW (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
8-TSST
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-SMD, Flat Lead
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
RT1C060
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
RT1C060UNDKR
RT1C060UNTRCT
RT1C060UNTRTR-ND
RT1C060UNTRTR
RT1C060UNTRCT-ND
RT1C060UNTRDKR
RT1C060UNTRDKR-ND
RT1C060UNCT
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
RQ5A040ZPTL
MOSFET P-CH 12V 4A TSMT3
RRQ020P03TCR
MOSFET P-CH 30V 2A TSMT6
RRH040P03TB1
MOSFET P-CH 30V 4A 8SOP
