RS6L090BGTB1

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

RS6L090BGTB1

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Rohm Semiconductor

ເລະທີ່ສ່ວນ:

RS6L090BGTB1-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

NCH 60V 90A, HSOP8, POWER MOSFET

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

N-Channel 60 V 90A (Tc) 3W (Ta), 73W (Tc) Surface Mount 8-HSOP

ສິນຄ້າ:

2206 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່

12990010

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

RS6L090BGTB1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

ROHM Semiconductor

ບັນທຶກ

Tape & Reel (TR)

ຊຸດ

-

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Active

ປະເພດ FET

N-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

90A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.7mOhm @ 90A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1950 pF @ 30 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

3W (Ta), 73W (Tc)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

150°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Surface Mount

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

8-HSOP

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

8-PowerTDFN

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ບັນທຶກ HTML

RS6L090BGTB1-DG

ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

2,500

ຊື່ ອື່ນໆ

846-RS6L090BGTB1CT

846-RS6L090BGTB1DKR

846-RS6L090BGTB1TR

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

rohm-semi

RS6P060BHTB1

NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFE

rohm-semi

RD3L03BBGTL1

NCH 60V 50A, TO-252, POWER MOSFE

diodes

DMTH45M5LPSW-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506

diodes

DMTH45M5SPSW-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506