ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
RS1E200GNTB
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Rohm Semiconductor
ເລະທີ່ສ່ວນ:
RS1E200GNTB-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 30 V 20A (Ta), 57A (Tc) 3W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
ສິນຄ້າ:
2460 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
13527276
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
RS1E200GNTB ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
ROHM Semiconductor
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
20A (Ta), 57A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
16.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1080 pF @ 15 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
3W (Ta), 25W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
8-HSOP
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-PowerTDFN
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
RS1E
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
2,500
ຊື່ ອື່ນໆ
RS1E200GNTBDKR
RS1E200GNTBCT
RS1E200GNTBTR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
BSC042N03LSGATMA1
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
11717
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
BSC042N03LSGATMA1-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.35
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
R6035KNZ1C9
MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO247
RQ3E180BNTB
MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT
RDN050N20FU6
MOSFET N-CH 200V 5A TO220FN
