RQ3E100GNTB
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

RQ3E100GNTB

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Rohm Semiconductor

ເລະທີ່ສ່ວນ:

RQ3E100GNTB-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 30 V 10A (Ta) 2W (Ta), 15W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)

ສິນຄ້າ:

3000 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
13526941
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

RQ3E100GNTB ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
ROHM Semiconductor
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
10A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.7mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
7.9 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
420 pF @ 15 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
2W (Ta), 15W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
8-HSMT (3.2x3)
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-PowerVDFN
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
RQ3E100

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
RQ3E100GNTB HSMT8 TB Taping Spec

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
RQ3E100GNTBDKR
RQ3E100GNTBCT
RQ3E100GNTBTR

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
rohm-semi

R5016ANJTL

MOSFET N-CH 500V 16A LPTS

rohm-semi

RP1L055SNTR

MOSFET N-CH 60V 5.5A MPT6

rohm-semi

R6030ENX

MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

rohm-semi

RSQ020N03TR

MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6