RQ1C065UNTR
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

RQ1C065UNTR

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Rohm Semiconductor

ເລະທີ່ສ່ວນ:

RQ1C065UNTR-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 20 V 6.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount TSMT8

ສິນຄ້າ:

2855 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
13524247
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

RQ1C065UNTR ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
ROHM Semiconductor
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
6.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
870 pF @ 10 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
700mW (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TSMT8
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-SMD, Flat Lead
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
RQ1C065

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ເອກະສານຄວາມໄວ້ວາງໃຈ
ແຫລ່ງ ຊ່ວຍ ເຫລືອ ການ ອອກ ແບບ
ໃບຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
RQ1C065UNTRDKR-ND
RQ1C065UNCT
RQ1C065UNDKR
RQ1C065UNTRCT-ND
RQ1C065UNTRTR-ND
RQ1C065UNTRDKR
RQ1C065UNTRTR
RQ1C065UNTRCT

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
rohm-semi

R6020ENZC8

MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF

rohm-semi

RQ3C150BCTB

MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT

rohm-semi

RS1L120GNTB

MOSFET N-CH 60V 12A/36A 8HSOP

rohm-semi

RZY200P01TL

MOSFET P-CH 12V 20A TCPT3