R8002ANJGTL
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

R8002ANJGTL

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Rohm Semiconductor

ເລະທີ່ສ່ວນ:

R8002ANJGTL-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

NCH 800V 2A POWER MOSFET : R8002
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 800 V 2A (Tc) 62W (Tc) Surface Mount TO-263S

ສິນຄ້າ:

925 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12976159
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

R8002ANJGTL ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
ROHM Semiconductor
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
800 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.3Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
250 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
62W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-263S
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
R8002

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1,000
ຊື່ ອື່ນໆ
846-R8002ANJGTLDKR
846-R8002ANJGTLTR
846-R8002ANJGTLCT

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

ແບບທີ່ແລກແລືອກ

ເນອະໄລະສິນຄ້າ
R8002ANJFRGTL
ຜູ້ຜະລິດ
Rohm Semiconductor
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
930
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
R8002ANJFRGTL-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.05
ປ່ແທນປະເພດ
Parametric Equivalent
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
onsemi

FQA28N50-ON

28.4A, 500V, 0.16OHM, N-CHANNEL

toshiba-semiconductor-and-storage

TK60S10N1L,LXHQ

MOSFET N-CH 100V 60A DPAK

littelfuse

IXTP60N20X4

MOSFET ULTRA X4 200V 60A TO-220

epc

EPC2207

TRANS GAN 200V DIE .022OHM