ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
R6002ENDTL
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Rohm Semiconductor
ເລະທີ່ສ່ວນ:
R6002ENDTL-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 600V 1.7A CPT3
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 600 V 1.7A (Tc) 20W (Tc) Surface Mount CPT3
ສິນຄ້າ:
13527257
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
R6002ENDTL ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
ROHM Semiconductor
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
1.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
65 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
20W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
CPT3
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
R6002
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
2,500
ຊື່ ອື່ນໆ
R6002ENDTLCT
R6002ENDTLTR
R6002ENDTLDKR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IPD60R3K3C6ATMA1
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
4490
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IPD60R3K3C6ATMA1-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.22
ປ່ແທນປະເພດ
Direct
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
R6007END3TL1
ຜູ້ຜະລິດ
Rohm Semiconductor
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
2500
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
R6007END3TL1-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.89
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
FCD3400N80Z
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
957
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
FCD3400N80Z-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.69
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
RQ1E050RPTR
MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8
QS5U27TR
MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5
R6042JNZ4C13
MOSFET N-CH 600V 42A TO247G
