IMB1AT110
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

IMB1AT110

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Rohm Semiconductor

ເລະທີ່ສ່ວນ:

IMB1AT110-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SMT6

ສິນຄ້າ:

13525895
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

IMB1AT110 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
Bipolar (BJT), ຄວາມຮວມສນານ ບິໂປລາ ທຣານຊິສຕອນ ອາລະວິເສດ, ພຣີ-ບາຍສດ
ຜູ້ຜະລິດ
ROHM Semiconductor
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Not For New Designs
ປະເພດ Transistor
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
ກະແສ - Collector (Ic) (Max)
100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Resistor - Base (R1)
22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
22kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
56 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
ກະແສ - Collector Cutoff (Max)
500nA
Frequency - ການປ່ຽນແປງ
-
ພະລັງ - Max
300mW
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
SC-74, SOT-457
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
SMT6
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IMB1

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

ແບບທີ່ແລກແລືອກ

ເນອະໄລະສິນຄ້າ
RN2603(TE85L,F)
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Semiconductor and Storage
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
6000
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
RN2603(TE85L,F)-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.05
ປ່ແທນປະເພດ
Direct
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
rohm-semi

FMG1AT148

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5

rohm-semi

IMD2AT108

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6

rohm-semi

UMD9NTR

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6

rohm-semi

FMA5AT148

TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT5