ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
EM6M1T2R
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Rohm Semiconductor
ເລະທີ່ສ່ວນ:
EM6M1T2R-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Mosfet Array 30V, 20V 100mA, 200mA 150mW Surface Mount EMT6
ສິນຄ້າ:
13521832
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
EM6M1T2R ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET ລະບົບ
ຜູ້ຜະລິດ
ROHM Semiconductor
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Not For New Designs
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
ການຕັ້ງຄ່າ
N and P-Channel
ລັກສະນະ FET
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V, 20V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
100mA, 200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.9nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
13pF @ 5V
ພະລັງ - Max
150mW
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
SOT-563, SOT-666
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
EMT6
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
EM6M1
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
8,000
ຊື່ ອື່ນໆ
Q8377399
EM6M1T2RTR
EM6M1T2RCT
EM6M1T2RDKR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
NTJD4158CT1G
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
14230
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
NTJD4158CT1G-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.09
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
SI1035X-T1-GE3
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay Siliconix
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
6387
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
SI1035X-T1-GE3-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.12
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
NX3008CBKV,115
ຜູ້ຜະລິດ
Nexperia USA Inc.
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
15002
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
NX3008CBKV,115-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.06
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
BSM080D12P2C008
SIC 2N-CH 1200V 80A MODULE
EM6K34T2CR
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
EM6K31T2R
MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6