NJM8512BE-TE1
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

NJM8512BE-TE1

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Nisshinbo Micro Devices Inc.

ເລະທີ່ສ່ວນ:

NJM8512BE-TE1-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOP
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
J-FET Amplifier 2 Circuit 8-SOP

ສິນຄ້າ:

1669 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
13514440
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

NJM8512BE-TE1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
ອາມປິເຟເລຊີເຕອຮ໌, ອໍປະແມບ, ອິນສະຕິມິນເຕຊັນ, ບໍ່ຟໍລ໌ ອາຳປສ
ຜູ້ຜະລິດ
RICOH/Nisshinbo Micro Devices
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ Amplifier
J-FET
ຈໍານວນຫມວດ
2
ປະເພດຜົນອອກ
-
ອັດຕາ ການ ຂ້າ ຟັນ
20V/µs
ຜະລິດຕະພັນ Gain Bandwidth
7 MHz
ກະແສ - Input Bias
25 pA
Voltage - Input Offset
80 µV
ປະຈຸບັນ - ອຸປະກອນ
2.6mA
Voltage - ຂອບເຂດອຸປະກອນ (Min)
9 V
Voltage - Supply Span (Max)
32 V
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-40°C ~ 125°C
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
8-SOP
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
NJM8512

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
NJM8512-13

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
2,000
ຊື່ ອື່ນໆ
190-NJM8512BE-TE1DKR
190-NJM8512BE-TE1TR
190-NJM8512BE-TE2CT-ND
190-NJM8512BE-TE2TR
190-NJM8512BE-TE2DKR-ND
190-NJM8512BE-TE2TR-ND
190-NJM8512BE-TE1TR-ND
2129-NJM8512BE-TE1DKR
190-NJM8512BE-TE1DKR-ND
190-NJM8512BE-TE1CT-ND
190-NJM8512BE-TE1CT
2129-NJM8512BE-TE1TR
2129-NJM8512BE-TE1CT

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.33.0001
ການສະແດງດິຈິທັນ
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
ricoh

NJM2734V-TE1

IC OPAMP GP 4 CIRCUIT 14SSOP

ricoh

NJM3474G-TE2

IC OPAMP GP 4 CIRCUIT 14SOP

ricoh

NJU77551F-TE1

IC OPAMP GP 1 CIRCUIT SOT23-5

ricoh

NJU77001F-TE2

IC CMOS 1 CIRCUIT SOT23-5