ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
NP36P04SDG-E1-AY
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Renesas Electronics Corporation
ເລະທີ່ສ່ວນ:
NP36P04SDG-E1-AY-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET P-CH 40V 36A TO252
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
P-Channel 40 V 36A (Tc) 1.2W (Ta), 56W (Tc) Surface Mount TO-252 (MP-3ZK)
ສິນຄ້າ:
11306 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12860283
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
NP36P04SDG-E1-AY ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Renesas Electronics Corporation
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
P-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
36A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2800 pF @ 10 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
1.2W (Ta), 56W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-252 (MP-3ZK)
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
NP36P04
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
2,500
ຊື່ ອື່ນໆ
NP36P04SDG-E1-AYDKR
NP36P04SDG-E1-AYTR
559-NP36P04SDG-E1-AYCT
NP36P04SDG-E1-AYDKR-DG
NP36P04SDG-E1-AYTR-DG
NP36P04SDG-E1-AYCT
NP36P04SDG-E1-AYCT-DG
NP36P04SDG-E1-AY-DG
NP36P04SDGE1AY
-1161-NP36P04SDG-E1-AYCT
559-NP36P04SDG-E1-AYDKR
559-NP36P04SDG-E1-AYTR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
NP109N055PUJ-E1B-AY
MOSFET N-CH 55V 110A TO263
HAT2096H-EL-E
MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK
HS54095TZ-E
MOSFET N-CH 600V 200MA TO92-3
