ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
NP180N055TUJ-E1-AY
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Renesas Electronics Corporation
ເລະທີ່ສ່ວນ:
NP180N055TUJ-E1-AY-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 55V 180A TO263-7
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 55 V 180A (Tc) 1.8W (Ta), 348W (Tc) Surface Mount TO-263-7
ສິນຄ້າ:
12858451
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
NP180N055TUJ-E1-AY ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Renesas Electronics Corporation
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
180A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.3mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
230 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
14250 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
1.8W (Ta), 348W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-263-7
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
800
ຊື່ ອື່ນໆ
NP180N055TUJE1AY
NP180N055TUJ-E1-AY-DG
NP180N055TUJ-E1-AYTR
NP180N055TUJ-E1-AYDKR
NP180N055TUJ-E1-AYCT
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IRLS3036TRL7PP
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
6136
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IRLS3036TRL7PP-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.75
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IPB017N06N3GATMA1
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
9000
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IPB017N06N3GATMA1-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.54
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IRL3713STRRPBF
MOSFET N-CH 30V 260A D2PAK
NTMFS4943NT1G
MOSFET N-CH 30V 8.3A/41A 5DFN
NVD6824NLT4G
MOSFET N-CH 100V 8.5A/41A DPAK
