N0602N-S19-AY
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

N0602N-S19-AY

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Renesas Electronics Corporation

ເລະທີ່ສ່ວນ:

N0602N-S19-AY-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 60 V 100A (Ta) 1.5W (Ta), 156W (Tc) Through Hole TO-220-3

ສິນຄ້າ:

2906 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12857957
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

N0602N-S19-AY ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Renesas Electronics Corporation
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
100A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.6mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
133 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
7730 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
1.5W (Ta), 156W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-220-3
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-220-3 Isolated Tab
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
N0602N-S19

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
N0602N

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1,000
ຊື່ ອື່ນໆ
-1161-N0602N-S19-AY

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
onsemi

NTR4170NT3G

MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23-3

renesas-electronics-america

RJK5034DPP-A0#T2

MOSFET N-CH 500V 10A TO220FP

onsemi

NTTFS4985NFTAG

MOSFET N-CH 30V 16.3A/64A 8WDFN

onsemi

NTF3055L108T3G

MOSFET N-CH 60V 3A SOT223