N0412N-S19-AY

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

N0412N-S19-AY

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Renesas Electronics Corporation

ເລະທີ່ສ່ວນ:

N0412N-S19-AY-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 40V 100A TO220

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

N-Channel 40 V 100A (Ta) 1.5W (Ta), 119W (Tc) Through Hole TO-220

ສິນຄ້າ:

2874 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່

12861338

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

N0412N-S19-AY ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

Renesas Electronics Corporation

ບັນທຶກ

Tube

ຊຸດ

-

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Active

ປະເພດ FET

N-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

100A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.7mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

-

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

100 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

5550 pF @ 25 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

1.5W (Ta), 119W (Tc)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

150°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Through Hole

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

TO-220

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

TO-220-3

ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ

N0412N-S19

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ບັນທຶກ HTML

N0412N-S19-AY-DG

ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

1,000

ຊື່ ອື່ນໆ

-1161-N0412N-S19-AY

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS

ROHS3 Compliant

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

1 (Unlimited)

ສະຖານະພາບ REACH

REACH Affected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

renesas-electronics-america

NP90N06VLG-E1-AY

MOSFET N-CH 60V 90A TO252

onsemi

NTGS3455T1G

MOSFET P-CH 30V 2.5A 6TSOP

renesas-electronics-america

RJK0654DPB-00#J5

MOSFET N-CH 60V 30A LFPAK

microchip-technology

VP0106N3-G

MOSFET P-CH 60V 250MA TO92-3