2SK2221-E
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

2SK2221-E

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Renesas Electronics Corporation

ເລະທີ່ສ່ວນ:

2SK2221-E-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 200V 8A TO3P
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 200 V 8A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-3P

ສິນຄ້າ:

RFQ ອອນໍານາ
12858514
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

2SK2221-E ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Renesas Electronics Corporation
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
600 pF @ 10 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
100W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-3P
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-3P-3, SC-65-3
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
2SK2221

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
2SK2220/21

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
onsemi

NTGS4141NT1G

MOSFET N-CH 30V 3.5A 6TSOP

renesas-electronics-america

RJK0456DPB-00#J5

MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK

onsemi

NTMFS4C10NT1G-001

MOSFET N-CH 30V 8.2A/46A 5DFN

vishay-siliconix

IRF610SPBF

MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK