2SK1835-E
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

2SK1835-E

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Renesas Electronics Corporation

ເລະທີ່ສ່ວນ:

2SK1835-E-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 1500V 4A TO3P
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 1500 V 4A (Ta) 125W (Tc) Through Hole TO-3P

ສິນຄ້າ:

18610 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12858192
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

2SK1835-E ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Renesas Electronics Corporation
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1500 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
4A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7Ohm @ 2A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1700 pF @ 10 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
125W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-3P
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-3P-3, SC-65-3
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
2SK1835

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
30
ຊື່ ອື່ນໆ
-1161-2SK1835-E

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
onsemi

RFD4N06LSM9A

MOSFET N-CH 60V 4A TO252AA

onsemi

NTR4501NT1G

MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23-3

onsemi

NVMFS5C430NAFT1G

MOSFET N-CH 40V 35A/185A 5DFN

onsemi

NTD6415ANLT4G

MOSFET N-CH 100V 23A DPAK