2SD2106-E
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

2SD2106-E

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Renesas Electronics Corporation

ເລະທີ່ສ່ວນ:

2SD2106-E-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 120 V 6 A 2 W Through Hole TO-220FM

ສິນຄ້າ:

1147 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12933182
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

2SD2106-E ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
Bipolar (BJT), ບິປອລາ ຕຣານຊິສໍເກອນ ດຽວ
ຜູ້ຜະລິດ
Renesas Electronics Corporation
ບັນທຶກ
Bulk
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ Transistor
NPN - Darlington
ກະແສ - Collector (Ic) (Max)
6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
120 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
3V @ 60mA, 6A
ກະແສ - Collector Cutoff (Max)
10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
1000 @ 3A, 3V
ພະລັງ - Max
2 W
Frequency - ການປ່ຽນແປງ
-
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-220-3 Full Pack
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-220FM

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
171
ຊື່ ອື່ນໆ
2156-2SD2106-E
RENRNS2SD2106-E

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
onsemi

SMUN2130T1

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR

renesas-electronics-america

2SD1286-Z-E1-AZ

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN

sanyo

2SB1229T-AA

PNP SILICON TRANSISTOR

onsemi

FP210-TL-E

BIP PNP+PNP 2A 50V