ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

QJD1210011

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Powerex Inc.

ເລະທີ່ສ່ວນ:

QJD1210011-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

SIC 2N-CH 1200V 100A MODULE

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

Mosfet Array 1200V (1.2kV) 100A (Tc) 900W Chassis Mount Module

ສິນຄ້າ:

RFQ ອອນໍານາ

12840375

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

QJD1210011 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, FET, MOSFET ລະບົບ

ຜູ້ຜະລິດ

Powerex

ບັນທຶກ

-

ຊຸດ

-

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Discontinued at Digi-Key

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

Silicon Carbide (SiC)

ການຕັ້ງຄ່າ

2 N-Channel (Dual)

ລັກສະນະ FET

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V (1.2kV)

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

100A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 100A, 20V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 10mA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

500nC @ 20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

10200pF @ 800V

ພະລັງ - Max

900W

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-40°C ~ 175°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Chassis Mount

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

Module

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

Module

ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ

QJD1210

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ບັນທຶກ HTML

ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ໃບຂໍ້ມູນ

QJD1210011 Preliminary Datasheet Full SiC & Hybride SiC IGBTs Brief

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

1

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS

ROHS3 Compliant

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

onsemi

NTJD5121NT1G

MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88

onsemi

NTLJD2104PTAG

MOSFET 2P-CH 12V 2.4A 6WDFN

onsemi

FDS8958

MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC

onsemi

HUFA76413DK8T

MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8SOIC