PJQ1906_R1_00201
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

PJQ1906_R1_00201

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Panjit International Inc.

ເລະທີ່ສ່ວນ:

PJQ1906_R1_00201-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 30 V 300mA (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount DFN1006-3

ສິນຄ້າ:

13001715
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

PJQ1906_R1_00201 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
PANJIT
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
300mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 300mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.9 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
45 pF @ 10 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
700mW (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
DFN1006-3
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
3-UFDFN
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
PJQ1906

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
10,000
ຊື່ ອື່ນໆ
3757-PJQ1906_R1_00201DKR
3757-PJQ1906_R1_00201TR
3757-PJQ1906_R1_00201CT

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
icemos-technology

ICE30N60W

Superjunction MOSFET

goford-semiconductor

G700P06H

MOSFET P-CH 60V 5A SOT-223

vishay-siliconix

SIS112LDN-T1-GE3

N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW

onsemi

NTBG022N120M3S

SIC MOSFET 1200 V 22 MOHM M3S SE