ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

PJP12NA60_T0_00001

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Panjit International Inc.

ເລະທີ່ສ່ວນ:

PJP12NA60_T0_00001-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

600V N-CHANNEL MOSFET

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

N-Channel 600 V 12A (Ta) 225W (Tc) Through Hole TO-220AB

ສິນຄ້າ:

RFQ ອອນໍານາ

12997396

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

PJP12NA60_T0_00001 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

PANJIT

ບັນທຶກ

-

ຊຸດ

-

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Obsolete

ປະເພດ FET

N-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

12A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

700mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±30V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1492 pF @ 25 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

225W (Tc)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 150°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Through Hole

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

TO-220AB

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

TO-220-3

ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ

PJP12

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

2,000

ຊື່ ອື່ນໆ

3757-PJP12NA60_T0_00001CT-DG

3757-PJP12NA60_T0_00001TR

3757-PJP12NA60_T0_00001TR-DG

3757-PJP12NA60_T0_00001

3757-PJP12NA60_T0_00001CT

3757-PJP12NA60_T0_00001DKRINACTIVE

3757-PJP12NA60_T0_00001CTINACTIVE

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS

ROHS3 Compliant

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

Not Applicable

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

vishay-siliconix

SIHB055N60EF-GE3

EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST

littelfuse

IXTH60N20X4

MOSFET ULTRA X4 200V 60A TO-247

vishay-siliconix

SIDR402EP-T1-RE3

N-CHANNEL 40 V (D-S) 175C MOSFET

vishay-siliconix

SIHK055N60E-T1-GE3

E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1