ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
PJD2NA60_L2_00001
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Panjit International Inc.
ເລະທີ່ສ່ວນ:
PJD2NA60_L2_00001-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
600V N-CHANNEL MOSFET
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 600 V 2A (Ta) 34W (Tc) Surface Mount TO-252
ສິນຄ້າ:
12971864
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
PJD2NA60_L2_00001 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
PANJIT
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Not For New Designs
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.4Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
5.7 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
257 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
34W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-252
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
PJD2N
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
3757-PJD2NA60_L2_00001DKR
3757-PJD2NA60_L2_00001TR
3757-PJD2NA60_L2_00001CT
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
PJW3P10A_R2_00001
100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
PJQ4466AP-AU_R2_000A1
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJQ4403P_R2_00001
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
