PJD2NA60_L2_00001
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

PJD2NA60_L2_00001

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Panjit International Inc.

ເລະທີ່ສ່ວນ:

PJD2NA60_L2_00001-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

600V N-CHANNEL MOSFET
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 600 V 2A (Ta) 34W (Tc) Surface Mount TO-252

ສິນຄ້າ:

12971864
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

PJD2NA60_L2_00001 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
PANJIT
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Not For New Designs
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.4Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
5.7 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
257 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
34W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-252
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
PJD2N

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
3757-PJD2NA60_L2_00001DKR
3757-PJD2NA60_L2_00001TR
3757-PJD2NA60_L2_00001CT

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
panjit

PJW3P10A_R2_00001

100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

panjit

PJQ4466AP-AU_R2_000A1

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJQ4403P_R2_00001

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJF10NA60_T0_00001

600V N-CHANNEL MOSFET