PJD2NA1K_L2_00001

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

PJD2NA1K_L2_00001

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Panjit International Inc.

ເລະທີ່ສ່ວນ:

PJD2NA1K_L2_00001-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

1000V N-CHANNEL MOSFET

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

N-Channel 1000 V 2A (Ta) 50W (Tc) Surface Mount TO-252

ສິນຄ້າ:

RFQ ອອນໍານາ

12970878

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

PJD2NA1K_L2_00001 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

PANJIT

ບັນທຶກ

-

ຊຸດ

-

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Obsolete

ປະເພດ FET

N-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1000 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

2A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±30V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

385 pF @ 25 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

50W (Tc)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 150°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Surface Mount

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

TO-252

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ

PJD2N

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

3,000

ຊື່ ອື່ນໆ

3757-PJD2NA1K_L2_00001CT

3757-PJD2NA1K_L2_00001TR

3757-PJD2NA1K_L2_00001DKR

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS

ROHS3 Compliant

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

1 (Unlimited)

ສະຖານະພາບ REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

panjit

PJD30N15_L2_00001

150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

PJF6NA70_T0_00001

700V N-CHANNEL MOSFET

panjit

PJQ5427_R2_00001

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJD16P06A_L2_00001

60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M