ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SMUN5312DW1T1G
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
onsemi
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SMUN5312DW1T1G-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 187mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
ສິນຄ້າ:
1553 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12847140
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SMUN5312DW1T1G ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
Bipolar (BJT), ຄວາມຮວມສນານ ບິໂປລາ ທຣານຊິສຕອນ ອາລະວິເສດ, ພຣີ-ບາຍສດ
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ Transistor
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
ກະແສ - Collector (Ic) (Max)
100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Resistor - Base (R1)
22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
22kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
ກະແສ - Collector Cutoff (Max)
500nA
Frequency - ການປ່ຽນແປງ
-
ພະລັງ - Max
187mW
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
SC-88/SC70-6/SOT-363
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SMUN5312
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SMUN5312DW1T1GOSTR
SMUN5312DW1T1GOSCT
2832-SMUN5312DW1T1GTR
SMUN5312DW1T1G-DG
SMUN5312DW1T1GOSDKR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
RN4983,LF(CT
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Semiconductor and Storage
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
2980
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
RN4983,LF(CT-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.03
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
UMD2NTR
ຜູ້ຜະລິດ
Rohm Semiconductor
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
5644
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
UMD2NTR-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.07
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
DMC264010R
TRANS PREBIAS DUAL NPN MINI6
MUN5311DW1T1
TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT363
NSBC114YDP6T5G
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
