ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
NXV08B800DT1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
onsemi
ເລະທີ່ສ່ວນ:
NXV08B800DT1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET 80V APM17-MDC
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Mosfet Array 80V Through Hole APM17-MDC
ສິນຄ້າ:
12994117
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
fQH4
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
NXV08B800DT1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET ລະບົບ
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
ລັກສະນະ FET
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
80V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
0.46mOhm @ 160A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.6V @ 1mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
502nC @ 12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
30150pF @ 40V
ພະລັງ - Max
-
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-40°C ~ 125°C (TA)
ເກຣດ
Automotive
ຄຸນສົມບັດ
AEC-Q101
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
17-PowerDIP Module (1.390", 35.30mm)
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
APM17-MDC
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
NXV08
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
10
ຊື່ ອື່ນໆ
488-NXV08B800DT1
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
G120P03S2
MOSFET 30V 16A 8SOP
SMA5113
MOSFET 4N-CH 450V 7A 12SIP
DMN61D9UDW-13-50
MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
