NVH4L045N065SC1
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

NVH4L045N065SC1

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

onsemi

ເລະທີ່ສ່ວນ:

NVH4L045N065SC1-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

SIC MOS TO247-4L 650V
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 650 V 55A (Tc) 187W (Tc) Through Hole TO-247-4L

ສິນຄ້າ:

445 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12972563
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

NVH4L045N065SC1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
55A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 25A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.3V @ 8mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
105 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+22V, -8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1870 pF @ 325 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
187W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ເກຣດ
Automotive
ຄຸນສົມບັດ
AEC-Q101
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-247-4L
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-247-4

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
NVH4L045N065SC1
ບັນທຶກ HTML
NVH4L045N065SC1-DG
ໃບບັດຂໍ້ມູນ
NVH4L045N065SC1

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
30
ຊື່ ອື່ນໆ
488-NVH4L045N065SC1

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
Not Applicable
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
panjit

PJD50N04-AU_L2_000A1

40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJP10NA60_T0_00001

600V N-CHANNEL MOSFET

panjit

PJD45P04-AU_L2_000A1

40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJD2NA60_R2_00001

600V N-CHANNEL MOSFET