NVH4L020N090SC1
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

NVH4L020N090SC1

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

onsemi

ເລະທີ່ສ່ວນ:

NVH4L020N090SC1-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

SIC MOSFET 900V TO247-4L
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 900 V 116A (Tc) 484W (Tc) Through Hole TO-247-4L

ສິນຄ້າ:

881 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12997419
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

NVH4L020N090SC1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
900 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
116A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
28mOhm @ 60A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.3V @ 20mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
196 nC @ 15 V
Vgs (Max)
+22V, -8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4415 pF @ 450 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
484W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ເກຣດ
Automotive
ຄຸນສົມບັດ
AEC-Q101
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-247-4L
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-247-4

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
NVH4L020N090SC1
ບັນທຶກ HTML
NVH4L020N090SC1-DG
ໃບບັດຂໍ້ມູນ
NVH4L020N090SC1

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
450
ຊື່ ອື່ນໆ
488-NVH4L020N090SC1TR-DG
488-NVH4L020N090SC1TR
488-NVH4L020N090SC1

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
Not Applicable
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
panjit

PJMF390N65EC_T0_00001

650V SUPER JUNCITON MOSFET

nexperia

PH6030DLVX

MOSFET N-CH 30V LFPAK

rohm-semi

R6006KNXC7G

600V 6A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI

nexperia

PH4030DLAX

MOSFET N-CH 30V LFPAK