ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
NTMS4176PR2G
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
onsemi
ເລະທີ່ສ່ວນ:
NTMS4176PR2G-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET P-CH 30V 5.5A 8SOIC
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
P-Channel 30 V 5.5A (Ta) 810mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
ສິນຄ້າ:
12858041
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
NTMS4176PR2G ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
P-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
5.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1720 pF @ 24 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
810mW (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
8-SOIC
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
NTMS41
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
2,500
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
RS3E075ATTB
ຜູ້ຜະລິດ
Rohm Semiconductor
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
10581
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
RS3E075ATTB-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.26
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
NTMS4177PR2G
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
6988
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
NTMS4177PR2G-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.36
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
FDS6681Z
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
19722
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
FDS6681Z-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.84
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IRFBE30LPBF
MOSFET N-CH 800V 4.1A I2PAK
NDD60N900U1-1G
MOSFET N-CH 600V 5.7A IPAK
NTS4001NT1
MOSFET N-CH 30V 270MA SC70-3
