NTH4L080N120SC1
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

NTH4L080N120SC1

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

onsemi

ເລະທີ່ສ່ວນ:

NTH4L080N120SC1-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 1200 V 29A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-247-4L

ສິນຄ້າ:

430 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12938839
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

NTH4L080N120SC1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
29A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.3V @ 5mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+25V, -15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1670 pF @ 800 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
170W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-247-4L
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-247-4
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
NTH4L080

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
NTH4L080N120SC1
ບັນທຶກ HTML
NTH4L080N120SC1-DG
ໃບບັດຂໍ້ມູນ
NTH4L080N120SC1

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
30
ຊື່ ອື່ນໆ
488-NTH4L080N120SC1
2156-NTH4L080N120SC1

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
Not Applicable
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
harris-corporation

RFM12P08

P-CHANNEL POWER MOSFET

onsemi

NTD15N06LT4G

N-CHANNEL POWER MOSFET

alpha-and-omega-semiconductor

AOT360A70L

MOSFET N-CH 700V 12A TO220

onsemi

NTHL080N120SC1A

SICFET N-CH 1200V 31A TO247-3