ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
NTH4L040N120SC1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
onsemi
ເລະທີ່ສ່ວນ:
NTH4L040N120SC1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 1200 V 58A (Tc) 319W (Tc) Through Hole TO-247-4L
ສິນຄ້າ:
234 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12938497
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
NTH4L040N120SC1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
58A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
56mOhm @ 35A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.3V @ 10mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
106 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+25V, -15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1762 pF @ 800 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
319W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-247-4L
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-247-4
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
NTH4L040
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
30
ຊື່ ອື່ນໆ
488-NTH4L040N120SC1
2156-NTH4L040N120SC1
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
Not Applicable
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
NTMFS0D8N02P1ET1G
MOSFET N-CH 25V 55A/365A 5DFN
IRFC120NB
MOSFET 100V 9.4A DIE
PMPB85ENEA115
N-CHANNEL POWER MOSFET
