NTH4L020N120SC1
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

NTH4L020N120SC1

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

onsemi

ເລະທີ່ສ່ວນ:

NTH4L020N120SC1-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

SICFET N-CH 1200V 102A TO247
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 1200 V 102A (Tc) 510W (Tc) Through Hole TO-247-4L

ສິນຄ້າ:

436 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12938224
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

NTH4L020N120SC1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
102A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
28mOhm @ 60A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.3V @ 20mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
220 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+25V, -15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2943 pF @ 800 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
510W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-247-4L
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-247-4
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
NTH4L020

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
30
ຊື່ ອື່ນໆ
488-NTH4L020N120SC1

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
Not Applicable
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
toshiba-semiconductor-and-storage

XPH3R114MC,L1XHQ

MOSFET P-CH 40V 100A 8SOP

toshiba-semiconductor-and-storage

TK1R4S04PB,LXHQ

MOSFET N-CH 40V 120A DPAK

alpha-and-omega-semiconductor

AOUS66414

MOSFET N-CH 40V 40A/92A ULTRASO8

harris-corporation

RFD15N06LESM

N-CHANNEL POWER MOSFET