NTGD4167CT1G

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

NTGD4167CT1G

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

onsemi

ເລະທີ່ສ່ວນ:

NTGD4167CT1G-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N/P-CH 30V 2.6/1.9A 6TSOP

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

Mosfet Array 30V 2.6A, 1.9A 900mW Surface Mount 6-TSOP

ສິນຄ້າ:

928248 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່

12857549

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

NTGD4167CT1G ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, FET, MOSFET ລະບົບ

ຜູ້ຜະລິດ

onsemi

ບັນທຶກ

Tape & Reel (TR)

ຊຸດ

-

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Active

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

ການຕັ້ງຄ່າ

N and P-Channel

ລັກສະນະ FET

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

2.6A, 1.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 2.6A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.5nC @ 4.5V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

295pF @ 15V

ພະລັງ - Max

900mW

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 150°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Surface Mount

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

6-TSOP

ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ

NTGD4167

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ບັນທຶກ HTML

NTGD4167CT1G-DG

ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

3,000

ຊື່ ອື່ນໆ

NTGD4167CT1GOSDKR

2156-NTGD4167CT1G-OS

NTGD4167CT1GOSTR

Q13728537

2832-NTGD4167CT1GTR

NTGD4167CT1G-DG

NTGD4167CT1GOSCT

ONSONSNTGD4167CT1G

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS

ROHS3 Compliant

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

1 (Unlimited)

ສະຖານະພາບ REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

onsemi

NTLUD3A50PZTAG

MOSFET 2P-CH 20V 2.8A 6UDFN

onsemi

NVMFD5483NLWFT3G

MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN

onsemi

NVTJD4001NT1G

MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88

onsemi

NTJD3158CT1G

MOSFET N/P-CH 20V 0.63A SC88