NTD4909NA-35G
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

NTD4909NA-35G

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

onsemi

ເລະທີ່ສ່ວນ:

NTD4909NA-35G-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 30V 8.8A/41A IPAK
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 30 V 8.8A (Ta), 41A (Tc) Through Hole I-Pak

ສິນຄ້າ:

12918824
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

NTD4909NA-35G ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
8.8A (Ta), 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1314 pF @ 15 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
-
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
I-PAK
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-251-3 Stub Leads, IPak
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
NTD4909

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
75
ຊື່ ອື່ນໆ
2156-NTD4909NA-35G-OS
ONSONSNTD4909NA-35G

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

ແບບທີ່ແລກແລືອກ

ເນອະໄລະສິນຄ້າ
G50N03J
ຜູ້ຜະລິດ
Goford Semiconductor
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
3000
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
G50N03J-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.11
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
vishay-siliconix

SI7462DP-T1-E3

MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SI5433BDC-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8

vishay-siliconix

SUM10250E-GE3

MOSFET N-CH 250V 63.5A D2PAK

vishay-siliconix

SIR664DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8