ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
NTBG040N120M3S
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
onsemi
ເລະທີ່ສ່ວນ:
NTBG040N120M3S-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 1200 V 57A (Tc) 263W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
ສິນຄ້າ:
785 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
13256041
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
NTBG040N120M3S ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
57A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
54mOhm @ 20A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.4V @ 10mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
75 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+22V, -10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1700 pF @ 800 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
263W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
D2PAK-7
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
800
ຊື່ ອື່ນໆ
488-NTBG040N120M3STR
488-NTBG040N120M3SCT
488-NTBG040N120M3SDKR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
NVBG040N120M3S
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
800
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
NVBG040N120M3S-DG
ລາຄາຕໍານອນ
18.34
ປ່ແທນປະເພດ
Parametric Equivalent
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
APT20M16LFLLG
MOSFET N-CH 200V 100A TO264
NTH4L070N120M3S
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
APT8020LLLG
MOSFET N-CH 800V 38A TO264