ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
NDPL100N10BG
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
onsemi
ເລະທີ່ສ່ວນ:
NDPL100N10BG-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 100 V 100A (Ta) 2.1W (Ta), 110W (Tc) Through Hole TO-220-3
ສິນຄ້າ:
12844833
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
NDPL100N10BG ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
100A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V, 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.2mOhm @ 50A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2950 pF @ 50 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
2.1W (Ta), 110W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-220-3
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-220-3
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
NDPL10
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
50
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
TSM160N10CZ C0G
ຜູ້ຜະລິດ
Taiwan Semiconductor Corporation
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
13
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
TSM160N10CZ C0G-DG
ລາຄາຕໍານອນ
2.10
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
FDP085N10A-F102
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
798
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
FDP085N10A-F102-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.12
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
MCH6331-TL-E
MOSFET P-CH 30V 3.5A 6MCPH
AOD512
MOSFET N-CH 30V 27A/70A TO252
NDF05N50ZG
MOSFET N-CH 500V 5.5A TO220FP
