MUN5112DW1T1G
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

MUN5112DW1T1G

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

onsemi

ເລະທີ່ສ່ວນ:

MUN5112DW1T1G-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363

ສິນຄ້າ:

5576 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12853498
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

MUN5112DW1T1G ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
Bipolar (BJT), ຄວາມຮວມສນານ ບິໂປລາ ທຣານຊິສຕອນ ອາລະວິເສດ, ພຣີ-ບາຍສດ
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ Transistor
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
ກະແສ - Collector (Ic) (Max)
100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Resistor - Base (R1)
22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
22kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
ກະແສ - Collector Cutoff (Max)
500nA
Frequency - ການປ່ຽນແປງ
-
ພະລັງ - Max
250mW
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
SC-88/SC70-6/SOT-363
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
MUN5112

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
MUN5112DW1, NSBA124EDxx
ບັນທຶກ HTML
MUN5112DW1T1G-DG
ໃບບັດຂໍ້ມູນ
MUN5112DW1T1G

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
2156-MUN5112DW1T1G-OS
ONSONSMUN5112DW1T1G
488-MUN5112DW1T1GDKR
MUN5112DW1T1G-DG
488-MUN5112DW1T1GTR
488-MUN5112DW1T1GCT

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
onsemi

MUN5211DW1T1G

TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88

onsemi

MUN5111DW1T1G

TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88

onsemi

MUN5237DW1T1

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

onsemi

MUN5211DW1T1

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363