ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IRF630BTSTU_FP001
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
onsemi
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IRF630BTSTU_FP001-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 200V 9A TO220-3
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 72W (Tc) Through Hole TO-220-3
ສິນຄ້າ:
12836731
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IRF630BTSTU_FP001 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
720 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
72W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-220-3
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-220-3
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IRF63
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
50
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IRF630
ຜູ້ຜະລິດ
Harris Corporation
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
11535
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IRF630-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.80
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IRF630NPBF
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
8085
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IRF630NPBF-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.39
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IRF630PBF
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay Siliconix
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
5461
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IRF630PBF-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.51
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
FQA6N80
MOSFET N-CH 800V 6.3A TO3P
FDS6575
MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
FDS6680S
MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC
