ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
FQU2N60CTU
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
onsemi
ເລະທີ່ສ່ວນ:
FQU2N60CTU-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 600V 1.9A IPAK
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 600 V 1.9A (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) Through Hole IPAK
ສິນຄ້າ:
12850069
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
FQU2N60CTU ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
QFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
1.9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.7Ohm @ 950mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
235 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
2.5W (Ta), 44W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
IPAK
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
FQU2N60
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
70
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
Not Applicable
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
STU2N80K5
ຜູ້ຜະລິດ
STMicroelectronics
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
119
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
STU2N80K5-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.46
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
STD2HNK60Z-1
ຜູ້ຜະລິດ
STMicroelectronics
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
3054
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
STD2HNK60Z-1-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.51
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
STU2N62K3
ຜູ້ຜະລິດ
STMicroelectronics
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
3000
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
STU2N62K3-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.52
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
AON6248
MOSFET N-CH 60V 17.5A/53A 8DFN
AOB290L
MOSFET N-CH 100V 18A/140A TO263
FQD3P50TM-F085
MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK
