FQU10N20CTU

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

FQU10N20CTU

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

onsemi

ເລະທີ່ສ່ວນ:

FQU10N20CTU-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 200V 7.8A IPAK

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

N-Channel 200 V 7.8A (Tc) 50W (Tc) Through Hole IPAK

ສິນຄ້າ:

1315 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່

12846244

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

FQU10N20CTU ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

onsemi

ບັນທຶກ

Tube

ຊຸດ

QFET®

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Obsolete

ປະເພດ FET

N-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

7.8A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

360mOhm @ 3.9A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±30V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

510 pF @ 25 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

50W (Tc)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 150°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Through Hole

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

IPAK

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ

FQU10N20

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ບັນທຶກ HTML

ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

70

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS

ROHS3 Compliant

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

Not Applicable

ສະຖານະພາບ REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ແບບທີ່ແລກແລືອກ

ເນອະໄລະສິນຄ້າ

FCU360N65S3R0

ຜູ້ຜະລິດ

onsemi

ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ

1585

DiGi ບໍ່ຈໍານວນ

FCU360N65S3R0-DG

ລາຄາຕໍານອນ

0.97

ປ່ແທນປະເພດ

MFR Recommended

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

alpha-and-omega-semiconductor

AO3407L

MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT23-3

onsemi

FQD17N08LTM

MOSFET N-CH 80V 12.9A TO252

onsemi

FDMC510P

MOSFET P-CH 20V 12A/18A 8MLP

onsemi

FCPF11N60T

MOSFET N-CH 600V 11A TO220F