ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
FQP11N40
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
onsemi
ເລະທີ່ສ່ວນ:
FQP11N40-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 400V 11.4A TO220-3
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 400 V 11.4A (Tc) 147W (Tc) Through Hole TO-220-3
ສິນຄ້າ:
12849672
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
FQP11N40 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
QFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
400 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
11.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
480mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1400 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
147W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-220-3
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-220-3
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
FQP1
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1,000
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IXFP12N50P
ຜູ້ຜະລິດ
IXYS
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
300
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IXFP12N50P-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.71
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
STP11NK40Z
ຜູ້ຜະລິດ
STMicroelectronics
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
78
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
STP11NK40Z-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.75
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IRFB11N50APBF
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay Siliconix
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
2122
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IRFB11N50APBF-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.98
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
FDT86113LZ
MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223-4
FDP5800
MOSFET N-CH 60V 14A/80A TO220-3
FDC365P
MOSFET P-CH 35V 4.3A SUPERSOT6
