FQI47P06TU

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

FQI47P06TU

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

onsemi

ເລະທີ່ສ່ວນ:

FQI47P06TU-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET P-CH 60V 47A I2PAK

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

P-Channel 60 V 47A (Tc) 3.75W (Ta), 160W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

ສິນຄ້າ:

RFQ ອອນໍານາ

12848516

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

FQI47P06TU ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

onsemi

ບັນທຶກ

-

ຊຸດ

QFET®

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Obsolete

ປະເພດ FET

P-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

47A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

26mOhm @ 23.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

110 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±25V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

3600 pF @ 25 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

3.75W (Ta), 160W (Tc)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 175°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Through Hole

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

TO-262 (I2PAK)

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ

FQI4

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ບັນທຶກ HTML

ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

1,000

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

1 (Unlimited)

ສະຖານະພາບ REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

onsemi

NTHS4501NT1

MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET

onsemi

FDB8132_F085

MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

onsemi

FDP39N20

MOSFET N-CH 200V 39A TO220-3

onsemi

FQE10N20CTU

MOSFET N-CH 200V 4A TO126-3